低压化学气相沉积(LPCVD)
是通过真空泵维持反应室压强低于0.1兆帕的沉积技术,属于热能激活型化学气相沉积。其低压环境使气体扩散系数提升,形成均匀性更优的膜层,适用于单晶硅薄膜、碳化硅硬质膜等材料的制备。与等离子体增强化学气相沉积相比,该技术工艺温度更高(425-900°C),具有阶梯覆盖性强的特性。